報(bào)告題目：激光圖形化誘導(dǎo)分子束外延生長(zhǎng)與半導(dǎo)體激光器簡(jiǎn)介（Molecular beam epitaxial growth induced by laser patterning and introduction of semiconductor laser）
報(bào)告人：彭長(zhǎng)四 蘇州大學(xué)
報(bào)告時(shí)間：6月18日（周五）10：00-11：30
報(bào)告地點(diǎn)：通信樓725會(huì)議室，電子科技大學(xué)沙河校區(qū)
摘要：
報(bào)告主要介紹GaAs晶圓基底上外延制備InAs納米結(jié)構(gòu)陣列材料：在超高真空材料外延生長(zhǎng)的過程中通過激光干涉圖案誘導(dǎo)，改變局部反應(yīng)過程和/或局域應(yīng)力分布，為納米結(jié)構(gòu)（例如：量子點(diǎn)/線）陣列的成核提供場(chǎng)所（能量最低位置）。
個(gè)人簡(jiǎn)歷：
彭長(zhǎng)四，蘇州大學(xué)教授，光電學(xué)院公共平臺(tái)主任，現(xiàn)任（英國）貝德福特大學(xué)和（英國）謝菲爾德大學(xué)客座教授。公開發(fā)表180余篇同行評(píng)審論文，SCI他人引用2000余次；專著1部（Springer）以及其他4部中每部1章；授權(quán)發(fā)明專利17個(gè)，授權(quán)實(shí)用新型專利2個(gè)。
