報(bào)告題目:激光圖形化誘導(dǎo)分子束外延生長(zhǎng)與半導(dǎo)體激光器簡(jiǎn)介(Molecular beam epitaxial growth induced by laser patterning and introduction of semiconductor laser)
報(bào)告人:彭長(zhǎng)四 蘇州大學(xué)
報(bào)告時(shí)間:6月18日(周五)10:00-11:30
報(bào)告地點(diǎn):通信樓725會(huì)議室,電子科技大學(xué)沙河校區(qū)
摘要:
報(bào)告主要介紹GaAs晶圓基底上外延制備InAs納米結(jié)構(gòu)陣列材料:在超高真空材料外延生長(zhǎng)的過程中通過激光干涉圖案誘導(dǎo),改變局部反應(yīng)過程和/或局域應(yīng)力分布,為納米結(jié)構(gòu)(例如:量子點(diǎn)/線)陣列的成核提供場(chǎng)所(能量最低位置)。
個(gè)人簡(jiǎn)歷:
彭長(zhǎng)四,蘇州大學(xué)教授,光電學(xué)院公共平臺(tái)主任,現(xiàn)任(英國)貝德福特大學(xué)和(英國)謝菲爾德大學(xué)客座教授。公開發(fā)表180余篇同行評(píng)審論文,SCI他人引用2000余次;專著1部(Springer)以及其他4部中每部1章;授權(quán)發(fā)明專利17個(gè),授權(quán)實(shí)用新型專利2個(gè)。