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基礎(chǔ)與前沿研究院第六屆“研究生人文教育與學(xué)術(shù)交流月”系列講座一
發(fā)布于:2021-06-11 16:55:46   |   作者:[學(xué)院] 基礎(chǔ)研究院   |   瀏覽次數(shù):4359

報(bào)告題目:激光圖形化誘導(dǎo)分子束外延生長(zhǎng)與半導(dǎo)體激光器簡(jiǎn)介(Molecular beam epitaxial growth induced by laser patterning and introduction of semiconductor laser

 報(bào)告人:彭長(zhǎng)四 蘇州大學(xué)

報(bào)告時(shí)間:6月18日(周五)10:00-11:30

 報(bào)告地點(diǎn):通信樓725會(huì)議室,電子科技大學(xué)沙河校區(qū)

 摘要:

 報(bào)告主要介紹GaAs晶圓基底上外延制備InAs納米結(jié)構(gòu)陣列材料:在超高真空材料外延生長(zhǎng)的過程中通過激光干涉圖案誘導(dǎo),改變局部反應(yīng)過程和/或局域應(yīng)力分布,為納米結(jié)構(gòu)(例如:量子點(diǎn)/線)陣列的成核提供場(chǎng)所(能量最低位置)。

 個(gè)人簡(jiǎn)歷:

  彭長(zhǎng)四,蘇州大學(xué)教授,光電學(xué)院公共平臺(tái)主任,現(xiàn)任(英國)貝德福特大學(xué)和(英國)謝菲爾德大學(xué)客座教授。公開發(fā)表180余篇同行評(píng)審論文,SCI他人引用2000余次;專著1部(Springer)以及其他4部中每部1章;授權(quán)發(fā)明專利17個(gè),授權(quán)實(shí)用新型專利2個(gè)。