報(bào)告題目：半導(dǎo)體的前生今世（Semiconductor, its past, present and future）
報(bào)告人：王庶民 瑞典查爾莫斯理工大學(xué)
報(bào)告時(shí)間：6月18日（周五）15：30-17：00
報(bào)告地點(diǎn)：通信樓725會(huì)議室，電子科技大學(xué)沙河校區(qū)
摘要：
In my talk, I will briefly review the history of development of compound semiconductors, highlight its impact on basic physics and modern devices, and present a future outlook with a few examples of current research frontiers in this field.
個(gè)人簡(jiǎn)介：
王庶民，華裔半導(dǎo)體材料和器件專家，具有30余年半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)和器件物理經(jīng)驗(yàn)，在微電子和光電子器件方面至今保持多項(xiàng)器件指標(biāo)的世界紀(jì)錄,在分子束外延領(lǐng)域（Molecular Beam Epitaxy）具有一定的國(guó)際知名度，編寫了11章英文專著篇章，發(fā)表270余篇SCI論文，國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議報(bào)告230余次，授權(quán)中國(guó)專利20余個(gè)，國(guó)際專利2個(gè)，培養(yǎng)國(guó)內(nèi)外研究生和博后30余名，自2006年和2010年起分別受日本獎(jiǎng)（Japan Prize）和諾貝爾物理獎(jiǎng)（Nobel Prize in Physics）委員會(huì)邀請(qǐng)?zhí)崦蜻x人。
